外媒10日报道，三星电子宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND 3D堆叠闪存。
三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路，在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代64层堆叠产品相比，后者使存储的传输速度提高了40%。 此外，新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙，与前一代相比改进了30%，读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能，电压从1.8V降至1.2V。 为了实现上述所有的改进，新一代V-NAND采用了96层层堆叠设计。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔，这些小孔用作通道，尺度仅有几百微米宽，包含超过850亿个CTF闪存单元，每个单元存储多达3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。这种制造方法包括了许多先进技术，比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述，但该公司称，V-NAND的改进让每个存储层的厚度已经削薄了20%，并使其生产效率提高了30%以上。
三星还透露，正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。因为首批第五代3D NAND颗粒为256Gb TLC，是消费市场和手机存储里常见的规格，对它来说优先考虑需求量大的市场是必然的选择，至于供应服务器和数据中心SSD的1Tb QLC NAND之后再说。 所以对普通消费者来讲，用上这批新颗粒应该就是三星下一代SSD产品的事情了。
三星宣布量产第五代V-NAND闪存芯片